В России разработана методика получения алмаз-графитовых элементов электроники

[Complend]

Сотрудники Физического института им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) разработали методику получения в алмазе тончайших графитизированных слоев. Их уникальные свойства в совокупности с технологией фотолитографии по алмазу позволяют использовать алмаз-графитовые структуры в производстве различных элементов электроники и оптоэлектроники.

Posted on Thu, 22 Apr 2010 07:53:14 GMT at http://rss.feedsportal.com/c/32255/f/438...tory01.htm